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139 Microns Silício Amorfo A Si Para vários campos, tais como DR Testes Não Destrutivos

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MOQ
139 Microns Silício Amorfo A Si Para vários campos, tais como DR Testes Não Destrutivos
Características Galeria Descrição de produto Peça umas citações
Características
Especificações
Materiais: Sensor de silício amorfo
Temperatura: 10-35°C (operativo);-10~50°C (armazenamento)
humidade: RH de 30 a 70% (não condensante)
Nome do produto: DR Detector digital de painel plano
Tipo de receptor: Um-si
Cintilador: GOS / CsI:TI
Área ativa: 350 x 430 mm
Pitch de pixel: 139 μm
Destacar:

139 Micron A Si

,

Silício amorfo A Si

,

DR A Si

Informação básica
Lugar de origem: China
Marca: HUATEC
Certificação: CE ISO GOST
Número do modelo: H3543HWC-EG
Condições de Pagamento e Envio
Detalhes da embalagem: Pacote de caixa padrão de exportação
Descrição de produto

139 Microns Silício amorfo A-Si Para vários campos, tais como DR e testes não destrutivos

 

O H3543HWC-EG é um detector sem fios leve baseado em silício amorfo ((a-Si), adequado para vários campos, como DR e testes não destrutivos.

 

Sensor
Receptor tipo a-Si

Scintillador Gos / CsI:TI

Área ativa 350 x 430 mm

Resolução 2560 x 3072

Pixel Pitch 139 μm

 

Fornecimento de energia e bateria

Adaptador AC 100-240V,50-60Hz

Adaptador de saída DC 24V,2.7A

Dissipação de energia < 20 W

Tempo de espera 6,5 h

Tempo de recarga 4,5 h

 

Qualidade da imagem
Resolução limitante 5 LP/mm

Intervalo de energia 40-160 KV

Intervalo dinâmico ≥ 76 dB

Sensibilidade ≥ 0,36 LSB/nGy

Ghos < 1% 1o quadro

DQE 38% @(1 LP/mm)

21% @ ((2 LP/mm)

MTF 75% @(1 LP/mm)

48% @(2 LP/mm)

28% @ ((3 LP/mm)

 

 

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