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CHINA Sensores de silício amorfo Detector de painel plano Leve Adequado para detecção de alta energia 15MV

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CHINA 139 Microns Silício Amorfo A Si Para vários campos, tais como DR Testes Não Destrutivos

139 Microns Silício Amorfo A Si Para vários campos, tais como DR Testes Não Destrutivos

MOQ: 1
Materiais Sensor de silício amorfo
Temperatura 10-35°C (operativo);-10~50°C (armazenamento)
humidade RH de 30 a 70% (não condensante)
Nome do produto DR Detector digital de painel plano
Tipo de receptor Um-si
CHINA Sensor baseado em silício amorfo para imagem dentária e inspeção industrial

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CHINA 100 Microns Silício Amorfo A Si Para vários campos, tais como DR testes não destrutivos

100 Microns Silício Amorfo A Si Para vários campos, tais como DR testes não destrutivos

CHINA Alvo do cobre da tensão de tubo de Crystal Orientation Indicator X Ray Instrument 30kvp com ânodo

Alvo do cobre da tensão de tubo de Crystal Orientation Indicator X Ray Instrument 30kvp com ânodo

MOQ: 1pcs
Poder entrado 、 0.3KW do、 50HZ da fase monofásica AC220V
Tipo HUATEC
Tensão do tubo 30KVP, interruptor fechou-se sob a tensão completa
Corrente do tubo 0~5mA, ajustável contínuo
Indicação de Digitas θ: 、 minúsculo do、 do grau em segundo; Leitura mínima 10 do ″
CHINA 75 Microns Silício Amorfo A Si Para Vários Campos A Si DR Ensaios Não Destrutivos

75 Microns Silício Amorfo A Si Para Vários Campos A Si DR Ensaios Não Destrutivos

CHINA 139 Microns Silício Amorfo A Si Para vários campos, tais como DR Testes Não Destrutivos

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CHINA Semicondutor X Ray Crystal Orientation Indicator Instrument de Sapphire Piezoelectric Crystal Optical Crystal

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CHINA Fase monofásica X Ray Instrument Crystal Orientation Indicator

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CHINA Alvo do cobre da tensão de tubo de Crystal Orientation Indicator X Ray Instrument 30kvp com ânodo

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